防窥膜，伤敌八百自损一千

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同时，伤敌MoSe2纳米片掺杂改善了界面能级匹配，PVK/传输层界面处更好的能级匹配有利于电荷提取，减少电荷复合损失，因此可以获得更高的Voc和Jsc。图文解读图1二维半导体MoSe2纳米片形貌与性能的表征图2二维半导体MoSe2纳米片掺杂制备碘化铅薄膜流程图及对碘化铅薄膜的影响图3二维半导体MoSe2纳米片掺杂对钙钛矿薄膜形貌的影响及残余拉伸应力的释放图4二维半导体MoSe2纳米片掺杂对钙钛矿能级的影响图5二维半导体MoSe2纳米片掺杂对器件性能的影响图6二维半导体MoSe2纳米片掺杂前后钙钛矿太阳能电池各种电学和稳定性表征小结作者利用SEM，自损AFM,XRD等表征手段揭示了MoSe2纳米片如何影响PbI2薄膜的形貌。

防窥对于两步法制备PSCs的发展至关重要伤敌©SpringerNature图2 C4H10生成机理的研究。自损c）CO覆盖度为0ML和1/2ML时C2H4与C4H10（实线）和C4H8（虚线）的反应能量图。

防窥d）从CO2/CO生产C4的原料气和产物。另外，伤敌从电化学反应器中提取产物并直接对其进行升级，这一概念在羰基化反应（氢甲酰化、烷氧羰化和氨基羰化）中具有潜在的应用前景。

自损c）电化学-热化学级联生产C4概念和效率定义示意图。

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